[发明专利]静态随机存储器及其形成方法

摘要

一种静态随机存储器及其形成方法，其中，所述静态随机存储器的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一上拉晶体管，第一下拉晶体管，第二上拉晶体管，第二下拉晶体管，第一传输晶体管和第二传输晶体管；形成第一金属层，所述第一金属层包括字线，所述字线与第一传输晶体管的栅极和第二传输晶体管的栅极电学连接；形成第二金属层，所述第二金属层包括第一位线、第二位线、第一电源线和第二电源线。本发明静态随机存储器形成方法的工艺简单。

主权项

1.一种静态随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一上拉晶体管，第一下拉晶体管，第二上拉晶体管，第二下拉晶体管，第一传输晶体管和第二传输晶体管，其中，所述第一上拉晶体管的栅极和第一下拉晶体管的栅极电学连接，第二上拉晶体管的栅极和第二下拉晶体管的栅极电学连接，所述第一传输晶体管的第一端与所述第一上拉晶体管的漏极和第一下拉晶体管的漏极电学连接，所述第二传输晶体管的第一端与所述第二上拉晶体管的漏极和第二下拉晶体管的漏极电学连接；形成第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述第一上拉晶体管，第一下拉晶体管，第二上拉晶体管，第二下拉晶体管，第一传输晶体管和第二传输晶体管；形成贯穿所述第一层间介质层的多个第一导电插塞，所述多个第一导电插塞分别与所述第一传输晶体管的栅极和所述第二传输晶体管的栅极电学连接；形成第一金属层，所述第一金属层包括字线，所述字线与第一传输晶体管的栅极和第二传输晶体管的栅极电学连接；其中，所述字线沿第一方向延伸；形成第二金属层，所述第二金属层包括第一位线、第二位线、第一电源线和第二电源线，其中，所述第一位线电学连接所述第一传输晶体管的第二端，所述第二位线电学连接所述第二传输晶体管的第二端，所述第一电源线电学连接所述第一上拉晶体管的源极和所述第二上拉晶体管的源极，所述第二电源线电学连接所述第一下拉晶体管的源极和第二下拉晶体管的源极；其中，所述第一位线、第二位线、第一电源线和第二电源线的延伸方向垂直于所述字线的延伸方向。