[发明专利]一种改善片式氧传感器气密性的方法无效
| 申请号： | 201410025535.4 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103743870A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;蒋丹宇;徐兵;徐权;夏金峰;粘洪强;黄德信;徐海芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善片式氧传感器气密性的方法，其包括如下步骤：制备Li2O-Al2O3-SiO2或CaO-Al2O3-SiO2玻璃料；将制得的玻璃料或其与氧化锆粉体的混合物加入粘结剂中，制得浆料；将得到的浆料涂覆在片式氧传感器周围，然后在1200～1500℃下共烧0.5～4小时。本发明方法可显著提高片式氧传感器产品的合格率，减少因为气密性原因导致的不合格品，具有实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 片式氧 传感器 气密性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善片式氧传感器气密性的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)制备Li2O‑Al2O3‑SiO2或CaO‑Al2O3‑SiO2玻璃料；b)将步骤a)制得的玻璃料或其与氧化锆粉体的混合物加入粘结剂中，制得浆料；c)将步骤b)得到的浆料涂覆在片式氧传感器周围，然后在1200～1500℃下共烧0.5～4小时。
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