[发明专利]带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410025540.5 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103779398A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;杜锴;梁日泉;代波;张进城;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率高击穿电压的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成槽栅、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间)，形成硅化物(NiSi，TiSi2等等)，将厚绝缘层上的硅化物与源极电连接形成源场板结构。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，击穿电压大、工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻、高工作频率、高压的耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 带源场板槽栅 algan gan hemt 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物；所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成槽栅、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间，形成硅化物，将厚绝缘层上的硅化物与源极电连接形成源场板结构，最后淀积钝化层实现器件的钝化。
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