[发明专利]使用半导体工艺的现有操作生产高性能无源器件

摘要

本发明在一个总体方面涉及半导体加工方法，所述方法可包括形成设置在P型硅基板内的N型硅区域。所述方法还可以包括在所述P型硅基板中形成场氧化物(FOX)层，其中所述FOX层包括暴露出所述N型硅区域的至少一部分的开口。所述方法还可以包括形成降低表面场(RESURF)氧化物(ROX)层，所述层具有设置在所述暴露的N型硅区域上的第一部分和设置在所述FOX层上的第二部分，其中所述ROX层包括与所述暴露的N型硅区域接触的第一介电层和设置在所述第一介电层上的第二介电层。所述方法还可以包括形成掺杂多晶硅层，所述层具有设置在所述ROX层的所述第一部分上的第一部分和设置在所述ROX层的所述第二部分上的第二部分。

主权项

一种用于形成电容器的方法，所述方法包括：形成设置在P型硅基板内的N型硅区域；在所述P型硅基板中形成场氧化物层，即FOX层，所述FOX层包括暴露出所述N型硅区域的至少一部分的开口；形成降低表面场氧化物层，即ROX层，所述ROX层具有设置在暴露的N型硅区域上的第一部分和设置在所述FOX层上的第二部分，所述ROX层包括与所述暴露的N型硅区域和所述FOX层接触的第一介电层和设置在所述第一介电层上的第二介电层，所述电容器的介电层包括所述ROX层的第一部分但是不包括所述ROX层的第二部分；以及形成掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层具有设置在所述ROX层的所述第一部分上的第一部分和设置在所述ROX层的所述第二部分上的第二部分。