[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201410026229.2 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN104425010B 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 尹正赫;愼允宰 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;毋二省
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开一种半导体存储装置,包括:列地址解码单元,其被配置成解码列地址、并且产生列选择信号;行地址解码单元,其被配置成解码行地址、并且产生字线选择信号;驱动驱动器单元,其被配置成响应于该列选择信号而提供不同电压给多个电阻式存储元件;吸收电流控制单元,其被配置成响应于该字线选择信号而产生具有不同电压电平的多个吸收电压;以及多个电流吸收单元,其被配置成响应于多个吸收电压而使电流从多个相应的电阻式存储元件流至接地端。
搜索关键词: 配置 半导体存储装置 字线选择信号 列选择信号 解码 存储元件 电阻式 响应 电流吸收单元 列地址解码 驱动驱动器 行地址解码 电压电平 吸收电流 接地端 列地址 行地址 吸收
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:列地址解码单元,其被配置成解码列地址、并且产生列选择信号;行地址解码单元,其被配置成解码行地址、并且产生字线选择信号;驱动驱动器单元,其被配置成响应于所述列选择信号而提供不同电压给多个电阻式存储元件;吸收电流控制单元,其被配置成响应于所述字线选择信号而产生具有不同电压电平的多个吸收电压;以及多个电流吸收单元,其被配置成响应于所述多个吸收电压而使电流从多个相应的电阻式存储元件流至接地端。
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