[发明专利]基于组合薄膜的宽温区可调谐微波器件有效
| 申请号： | 201410026262.5 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103762078B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 袁洁;金魁;孙亮;何豫生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,冯丽欣 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种基于组合薄膜的宽温区可调谐微波器件，所述可调谐微波器件包括介质衬底、铁电组合薄膜、第一电极和至少一个第二电极；所述铁电组合薄膜设置于所述介质衬底上，在所述铁电组合薄膜中，铁电材料中预定掺杂离子的成分含量沿梯度方向连续梯度变化，所述梯度方向在所述铁电组合薄膜所在平面上；所述第一电极和第二电极用于形成调谐所述铁电组合薄膜介电常数的调谐电场，所述电极被设置为使所述调谐电场方向与所述梯度方向不同。所述可调谐微波器件的介电常数可调温度范围宽，具有较好的温度稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 组合 薄膜 宽温区可 调谐 微波 器件 | ||
【主权项】：
一种可调谐微波器件，包括介质衬底、铁电组合薄膜、第一电极和至少一个第二电极；所述铁电组合薄膜设置于所述介质衬底上，在所述铁电组合薄膜中，铁电材料中预定掺杂离子的成分含量沿梯度方向连续梯度变化，所述梯度方向在所述铁电组合薄膜所在平面上；所述第一电极和第二电极用于形成调谐所述铁电组合薄膜介电常数的调谐电场，所述电极被设置为使所述调谐电场方向与所述梯度方向不同；所述铁电组合薄膜包括至少一层铁电材料原胞，每个铁电材料原胞中的掺杂离子的成分含量沿梯度方向连续梯度变化；所述电极包括与铁电组合薄膜接触的超导体材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410026262.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
