[发明专利]一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种功能薄膜制备方法及应用领域，特指一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其制备方法。采用等离子体化学气相沉积技术，利用有机源、氨气作为反应源；利用氢气或氮气作为有机源载气源，利用硅烷、三甲基镁作为掺杂剂，在衬底上分别制备n型、p型非晶态氮化镓或氮化铟；并以n型、p型非晶态氮化镓或氮化铟薄膜作为薄膜晶体管的沟道层，通过该方法制作的非晶态氮化镓或氮化铟薄膜及非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管是在廉价的衬底上得到的，因此大大降低了制造成本；本发明的材料均匀程度高、杂质含量低、器件与衬底黏附力大等优点；另外本发明方法具有操作简便、适于大面积连续生产等优点。

主权项

一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：采用等离子体化学气相沉积技术，利用有机源、氨气作为反应源；利用氢气或氮气作为有机源载气源，利用硅烷、三甲基镁作为掺杂剂，制备n型或p型非晶态氮化镓或非晶态氮化铟薄膜；以n型或p型的非晶态氮化镓薄膜或以n型或p型的非晶态氮化铟薄膜作为薄膜晶体管沟道层，制备顶栅结构薄膜晶体管；或采用等离子体化学气相沉积技术，利用有机源、氨气作为反应源；利用氢气或氮气作为有机源载气源，利用硅烷、三甲基镁作为掺杂剂，制备n型或p型非晶态氮化镓或非晶态氮化铟薄膜；以n型或p型的非晶态氮化镓薄膜或以n型或p型的非晶态氮化铟薄膜作为薄膜晶体管沟道层，制备底栅结构薄膜晶体管；所述的等离子体化学气相沉积技术制备非晶态氮化镓或非晶态氮化铟薄膜过程中，其工艺参数为：有机源和氨气质量流量比例为1:2～1:1，射频功率为50～350W，反应压强为20～200Pa；衬底温度为室温至350℃；所述的掺杂剂为n型掺杂剂或p型掺杂剂；其中，掺杂剂和有机源质量流量混合比例为1％～20％；其中所述的n型掺杂剂、p型掺杂剂分别选择三甲基镁和硅烷，所述的有机源为三甲基镓、三乙基镓或三甲基铟。