[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅极结构，伪栅极结构包括：位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层；在衬底和伪栅极结构表面形成介质膜，介质膜的表面高于或齐平于伪栅极层的顶部表面；在形成介质膜之后，进行退火工艺，使介质膜致密；在退火工艺之后，平坦化介质膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面为止，形成介质层；在平坦化介质膜之后，采用离子注入工艺在介质层表面形成致密层；在离子注入工艺之后，去除伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在开口内形成栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层，栅极层的表面与介质层齐平。所形成的晶体管性能改善、形貌尺寸精确均匀。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层；在所述衬底和伪栅极结构表面形成介质膜，所述介质膜的表面高于或齐平于所述伪栅极层的顶部表面；在形成介质膜之后，进行退火工艺，使所述介质膜致密；在所述退火工艺之后，平坦化所述介质膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面为止，形成介质层；在平坦化所述介质膜之后，采用离子注入工艺在所述介质层表面形成致密层；在离子注入工艺之后，去除伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在所述开口内形成栅介质层、以及位于所述栅介质层表面的栅极层，所述栅极层的表面与介质层齐平；所述退火工艺为激光退火；所述退火工艺的温度大于800摄氏度。