[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410027723.0 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104795332B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，包括第一区域和第二区域，第一区域上形成有第一鳍部，第二区域上形成有第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部的宽度相同，所述半导体衬底表面还形成有第一介质层，所述第一介质层的表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面；在所述第一鳍部表面形成阻挡层；在第二鳍部表面形成半导体外延层，所述第二鳍部以及位于所述第二鳍部表面的半导体外延层作为第三鳍部；去除所述阻挡层；对所述第一鳍部表面进行氧化形成第一栅介质层，对所述第三鳍部表面进行氧化形成第三栅介质层，所述第三栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度。所述方法可以提高鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域上形成有第一鳍部，所述第二区域上形成有第二鳍部，所述第一鳍部和第二鳍部的宽度相同，所述半导体衬底表面还形成有第一介质层，所述第一介质层的表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面；在所述第一鳍部表面形成阻挡层；在第二鳍部表面形成半导体外延层，所述第二鳍部以及位于所述第二鳍部表面的半导体外延层作为第三鳍部；去除所述阻挡层；对所述第一鳍部表面进行氧化形成第一栅介质层，对所述第三鳍部表面进行氧化形成第三栅介质层，所述第三栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度，且剩余的第一鳍部和剩余的第三鳍部的宽度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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