[发明专利]一种瓦片状型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺有效
申请号: | 201410028013.X | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN103746018A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 仲蓓鑫;曾凤;程实;王强;邓洁 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226019*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种瓦片状型波纹式太阳能电池多晶硅基片及其制造工艺,太阳能电池硅基片包括多晶硅基底片本体,所述硅基片本体表面为瓦片状型波纹式非平面结构,呈条状顺序排列。它的制造工艺为:利用常压化学气相淀积法淀积非晶硅掩蔽层和化学腐蚀形成表面形貌。本发明硅基片的表面为瓦片状型波纹式非平面结构。该结构有效的增大了基片的受光面积,且当光从不同角度入射都有直射面,达到了最大限度的利用光能。硅基片的发电效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 瓦片 波纹 太阳能电池 硅基片 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种瓦片状型波纹式太阳能电池多晶硅基片,包括多晶硅基底片本体(1),其特征在于:所述多晶硅基片本体(1)表面为瓦片状型波纹式非平面结构,呈条状顺序排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的