[发明专利]灵敏放大器及存储器有效
| 申请号： | 201410028042.6 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104795088B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨翼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种灵敏放大器及存储器。其中，所述灵敏放大器至少包括包含待读的存储单元的第一电流支路；包含由多个与存储单元所采用的电路相同的电路组合成的组合电路的第二电流支路；以及比较器，其一个输入端连接所述待读的存储单元、另一输入端连接所述组合电路，用于将所述待读的存储单元的电压降与所述组合电路的电压降的差予以放大后输出。此外，基于所述灵敏放大器可构建相应的存储器。本发明的优点包括具有较大读电压动态范围，且受工艺、电源电压及温度（PVT）的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏 放大器 存储器 | ||
【主权项】：
一种用于读取存储单元所存储的信号的灵敏放大器，其特征在于，所述用于读取存储单元所存储的信号的灵敏放大器至少包括：第一电流支路，包含待读的存储单元，及与所述待读的存储单元串联的第一开关管；其中，所述待读的存储单元包括两个串联的NMOS管，第一NMOS管的栅极接第一控制信号，第一NMOS管的源极与比较器的正向输入端连接，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接，第二NMOS管的栅极接第二控制信号，第二NMOS管的源极接低电平VSS；所述第一开关管为NMOS管，所述第一开关管的栅极接第一控制信号，所述第一开关管的漏极接电源电压Vdd，所述第一开关管的源极与第一NMOS管的源极连接；第二电流支路，包含由多个与所述待读的存储单元所采用的电路相同的电路组合成的组合电路，及与所述组合电路串联、且与所述第一开关管相同的第二开关管；其中，所述第二开关管为NMOS管，所述第二开关管的栅极接第一控制信号，所述第二开关管的漏极接电源电压Vdd，所述第二开关管的源极与所述组合电路连接；比较器，其一个输入端连接所述待读的存储单元、另一输入端连接所述组合电路，用于将所述待读的存储单元的电压降与所述组合电路的电压降的差予以放大后输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410028042.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
