[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410028187.6 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104465758A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 佐藤慎哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第一侧面和第一底部，在内部具有第一空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第一侧面朝着第一空洞部降低；以及第二导电类型的第三半导体层，以使第一半导体层位于第三半导体层与第二半导体层之间的方式设置在第一半导体层内，具有与第一半导体层相接的第二侧面和第二底部，在内部具有第二空洞部，第二导电类型的杂质浓度从第二侧面朝着第二空洞部降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层内，具有与上述第一半导体层相接的第一侧面和第一底部，在内部具有第一空洞部，第二导电类型的杂质浓度从上述第一侧面和上述第一底部朝着上述第一空洞部降低；以及第二导电类型的第三半导体层，以使上述第一半导体层位于上述第三半导体层与上述第二半导体层之间的方式设置在上述第一半导体层内，具有与上述第一半导体层相接的第二侧面和第二底部，在内部具有第二空洞部，第二导电类型的杂质浓度从上述第二侧面和第二底部朝着上述第二空洞部降低。
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