[发明专利]一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法有效
| 申请号： | 201410028203.1 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103760681B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 董凤良;徐丽华;苗霈;宋志伟;闫兰琴;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28;G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法。所述方法包括以下步骤（1）在基底上镀一层金属薄膜层并干燥处理；（2）在所述金属薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并干燥处理；（3）在所述光刻胶层上通过电子束直写曝光并显影得到光刻胶纳米尺度微偏振片阵列图形；（4）采用电感耦合等离子体刻蚀，以带有所述图形的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属薄膜层，以将所述图形转移到金属薄膜层；（5）去除所述光刻胶层，得到所述微偏振片阵列。本发明的方法简单易行，通过单次曝光显影即可形成多个不同偏振方向的微偏振片阵列；所述方法制作的微偏振片阵列的偏振性能高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 纳米 光栅 偏振 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法，包括以下步骤：(1)通过溅射工艺或电子束蒸发工艺在基底上镀一层金属薄膜层并干燥处理；所述金属薄膜层的厚度为100nm‑150nm；(2)在所述金属薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并干燥处理；(3)在所述光刻胶层上通过电子束直写曝光并显影得到光刻胶纳米尺度的微偏振片阵列图形；所述图形为0°、45°、90°和135°四个偏振方向的图形；(4)采用电感耦合等离子体刻蚀，以带有所述图形的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属薄膜层，以将所述图形转移到金属薄膜层；(5)去除所述光刻胶层，得到所述微偏振片阵列。
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