[发明专利]多层膜的蚀刻方法

摘要

本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。

主权项

一种多层膜的蚀刻方法，该多层膜的蚀刻方法是在等离子体处理装置中对具有第1氧化膜、第2氧化膜以及设于该第1氧化膜与该第2氧化膜之间的有机膜的多层膜进行蚀刻的方法，其中，该多层膜的蚀刻方法包括以下工序：在等离子体处理装置的容纳有具有上述多层膜和设于上述第1氧化膜之上的抗蚀剂掩模的被处理体的处理空间内生成第1处理气体的等离子体并对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序；在对上述第1氧化膜进行蚀刻之后，在上述处理空间内生成第2处理气体的等离子体并对上述有机膜进行蚀刻的工序；以及在对上述有机膜进行蚀刻之后，在上述处理空间中生成第3处理气体的等离子体并对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序，上述第1处理气体的等离子体、上述第2处理气体的等离子体以及上述第3处理气体的等离子体是通过对构成用于载置上述被处理体的载置台的下部电极和设于该下部电极的上方的上部电极中的一者施加高频电力而生成的，对上述有机膜进行蚀刻的工序中的上述高频电力大于对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序和对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中的上述高频电力，在对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序、对上述有机膜进行蚀刻的工序以及对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中，均对上述下部电极施加高频偏压电力，对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序和对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中的上述高频偏压电力大于对上述有机膜进行蚀刻的工序中的上述高频偏压电力，在对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序、对上述有机膜进行蚀刻的工序以及对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中，以具有以下强度分布的方式形成磁场，该强度分布为沿着相对于上述被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值，对上述有机膜进行蚀刻的工序中的上述水平磁场成分的峰值位置比对上述第1氧化膜进行蚀刻的工序和对上述第2氧化膜进行蚀刻的工序中的上述水平磁场成分的峰值位置靠近上述中心轴线。