[发明专利]石墨烯复合导电氧化物靶材及其透明导电薄膜的制备方法无效
申请号: | 201410028577.3 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN103741094A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 陈斐;杨爽;吴俊彦;沈强;加乐为;朱莉·沙龙;张联盟 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明是一种石墨烯复合导电氧化物靶材及其透明导电薄膜的制备方法,具体是:利用高纯石墨烯和导电氧化物粉体为原料,石墨烯的质量含量为0.05~2%,采用液相法进行均匀混合,经过在溶剂中分别搅拌、超声,然后混合、干燥得到石墨烯复合导电氧化物粉体;该粉体进行电场活化烧结,得到高致密、高导电的石墨烯复合导电氧化物靶材,烧结温度为900~1400℃,压力为0~100MPa,保温时间为0~30分钟;然后利用该靶材进行磁控溅射沉积,制备透明导电薄膜。本发明优点是靶材的纯度高、致密度高,并且导电性能得到大大提高,利用靶材制备的透明导电薄膜,导电性得到改善,并可保持较高的可见光透过率,可广泛用于透明电极制造领域。 | ||
搜索关键词: | 石墨 复合 导电 氧化物 及其 透明 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯复合导电氧化物靶材及其透明导电薄膜的制备方法,其特征是采用向导电氧化物中添加微量、高纯石墨烯制备高致密、高导电的石墨烯复合导电氧化物靶材,并利用靶材进行磁控溅射沉积方法制备导电性能优异、透光性能好的透明导电薄膜,该方法采用包括以下步骤:(1)石墨烯与导电氧化物粉体的复合:石墨烯与导电氧化物粉体按质量比例为(0.05~2%):(98~99.5%)在溶剂中分散、混合,经过干燥得到均匀分散的石墨烯复合导电氧化物粉体;(2)石墨烯复合导电氧化物靶材的电场活化烧结:将研磨后的石墨烯复合导电氧化物粉体置入石墨模具中,然后进行电场活化烧结,烧结后的陶瓷块体即为所述石墨烯复合导电氧化物靶材;(3)透明导电薄膜的制备:1)将石墨烯复合导电氧化物靶材和石英玻璃衬底放入磁控溅射仪溅射腔,抽至10‑5Pa高真空,预溅射5分钟;2)加热衬底至100~400℃,向溅射腔内充入氧气和氩气,氧气和氩气流量比为1:3,调节腔内压强为1~8Pa;3)调节溅射功率至10~40W,溅射时间为10~60分钟,得到透明导电薄膜。
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