[发明专利]带有加强的3D RESURF的半导体器件有效
| 申请号： | 201410028850.2 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943668B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨洪宁;林欣;张志宏;左江凯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及带有加强的3D RESURF的半导体器件。器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底中并且沿着第一横向维度彼此隔开的源极和漏极区域，以及位于所述半导体衬底中并且电荷载流子通过所述区域在操作期间随着所述源极和漏极区域之间的偏置电压的应用进行漂移的漂移区域。所述漂移区域沿着所述漂移区域和所述漏极区域之间的界面在第二横向维度有凹口掺杂物轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 加强 resurf 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中并且沿着第一横向维度彼此隔开的源极区域和漏极区域；以及位于所述半导体衬底中的漂移区域，并且在操作期间随着所述源极区域和漏极区域之间的偏置电压的施加，电荷载流子通过所述漂移区域进行漂移；其中：所述漂移区域与所述漏极区域在界面处彼此连接；并且所述漂移区域沿着所述漂移区域和所述漏极区域之间的所述界面在第二横向维度有凹口边界，以及所述漂移区域在所述漂移区域和所述漏极区域之间的所述界面处的所述漏极区域处的垂直厚度变窄。
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