[发明专利]一种化合物半导体大面积气相外延用圆环形喷口分布方式在审

专利信息
申请号: 201410029034.3 申请日: 2014-01-22
公开(公告)号: CN103789825A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 张俊业;刘鹏;左然;赵红军;魏武;张国义;童玉珍 申请(专利权)人: 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523518 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种化合物半导体大面积气相外延(VPE)用气体喷头喷口的交叉密排式排布结构,其特征为:各同心圆环形喷口采用独立、交叉排布方式,用外环惰性气体喷口隔开第一前驱物喷口和第二前驱物喷口,使各喷口喷出的不同前驱物在喷口附近被相互隔离,防止它们在喷口附近发生混合起化学反应致使喷口污染;而喷口的密集排布结构,使两种前驱物喷出后一离开喷口附近,进入混合起反应区域便较快均匀混合,形成均匀浓度、流场。从而显著地改善化合物半导体大面积气相外延沉积的均匀性,同时也扩大了外延生长工艺的调空范围,便于调控。
搜索关键词: 一种 化合物 半导体 大面积 外延 圆环 喷口 分布 方式
【主权项】:
一种用于化合物半导体气相外延(VPE)的气体喷头的同心圆环形喷口结构,其特征在于:三种不同的气体即第一前驱物、第二前驱物和惰性气体,分别通过输运管道后,从平面状喷头的各自独立的同心圆环形喷口喷出;利用其外环喷口喷出的惰性气体,使其内圆孔喷口喷出的第一前驱物气体和第二前驱物气体,在喷口附近(在进入混合反应区之前)保持完全被隔离。
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