[发明专利]磁传感装置的制备方法

摘要

本发明揭示了一种磁传感装置的制备方法，包括：步骤S1、晶圆片上沉积第一绝缘介质层；步骤S2、在第一绝缘介质层上沉积磁性材料，形成磁性材料层；步骤S3、在磁性材料层上沉积缓冲层；步骤S4、沉积第二绝缘介质层，材料为非导电材料，使得缓冲层位于磁性材料层与第二绝缘介质层中间；步骤S5、通过光刻与刻蚀工艺将第二绝缘介质层打开，并且停在缓冲层上，或者停在磁性材料层上；步骤S6、接着去除光刻胶；步骤S7、通过刻蚀工艺将磁性材料层打开。本发明提出的磁传感装置的制备方法，在磁性材料之后沉积的第二绝缘介质层为非导电材料，使得这样的材料在稍后的刻蚀工艺当中不会产生过多的副产物，从而提高制得的磁传感装置的精度及灵敏度。

主权项

1.一种磁传感装置的制备方法，其特征在于：所述磁传感装置为三轴磁传感装置，三轴磁传感装置包括Z轴磁传感器，所述制备方法包括制备Z轴磁传感器的步骤，具体包括：步骤1、在基底上沉积第一绝缘介质材料，形成第一绝缘介质层，第一绝缘介质层为一层或者多层；在第一绝缘介质层表面上形成沟槽；步骤2、在形成沟槽的第一绝缘介质层上沉积磁性材料，形成磁性材料层，磁性材料层的一部分位于第一绝缘介质层表面，另一部分位于沟槽内；步骤3、在所述磁性材料层上沉积一层或多层缓冲层；所述缓冲层的材料为晶粒比第二绝缘介质层材料小的薄膜，为金属或非金属；所述缓冲层的材料为TaN；步骤4、在缓冲层上沉积第二绝缘介质层；第二绝缘介质层为单层或者多层；步骤5、通过光刻与刻蚀工艺将第二绝缘介质层打开，并且停在缓冲层上，或者停在磁性材料层上；步骤6、接着去除光刻胶；步骤7、通过刻蚀工艺将磁性材料层打开；步骤8、在第二绝缘介质层上沉积第三层介质层；步骤9、通过光刻与刻蚀工艺，形成磁传感器图形；步骤10、沉积第四层介质层；步骤11、通过光刻与刻蚀工艺，将所需要的与电极层连接的部分打开，刻蚀停在缓冲层上，然后沉积金属层；所述Z轴磁传感器包括感应单元、导磁单元；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，并有部分露出沟槽至基底表面，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；所述感应单元设置于基底上，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单元输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向测量的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直。