[发明专利]生产高纯颗粒硅的方法

摘要

本发明公开了一种生产高纯颗粒硅的方法，是200910149144.2生产高纯颗粒硅的反应器和方法的分案。该方法包括：a.形成高纯粒状硅床层；b.加热高纯粒状硅床层，使其温度为100℃－1400℃；c.使高纯粒状硅床层中粒状硅处于相对运动状态；d.通入辅助气体和原料气体，所产反应尾气排出；e.对生产得到的高纯颗粒硅进行收集或输送到下一工艺单元。本发明使用处于运动状态的密集堆积的高纯粒状硅床层，避免了粒状硅之间的粘结，减小了反应器体积，并且通过密集堆积的高纯粒状硅床层捕获反应尾气中的高纯粉末硅作为种子，还利用反应尾气的余热为补充的粒状硅加热，实现了超大型、高效、节能、连续、低成本生产高纯颗粒硅。

主权项

一种生产高纯颗粒硅的方法，其特征在于，包括： a.形成高纯粒状硅床层，所述高纯粒状硅床层中的高纯粒状硅密集分布,不受气体状态（流量压力）的影响； b.加热所述高纯粒状硅床层，使所述高纯粒状硅床层的温度为100℃－1400℃； c.使所述高纯粒状硅床层中粒状硅处于相对运动状态； d.通入辅助气体和原料气体，所述辅助气体为高纯H₂和/或惰性气体，所述原料气体为含硅气体和还原气体H₂，气体不对床层形成流化悬浮，含硅气体中硅被沉积在硅颗粒上，所产反应尾气排出； e.对生产得到的高纯颗粒硅进行收集或输送到下一工艺单元。