[发明专利]一种基于低频噪声分类的光耦贮存寿命评价方法

摘要

一种基于低频噪声分类的光耦贮存寿命评价方法，其步骤如下：一、根据光耦的内部结构搭建低频噪声适配器；二、测量光耦初始的低频噪声；三、根据低频噪声对样本进行分类；四、确定加速寿命试验的温度并将样本分类进行加速寿命试验；五、确定退化趋势的函数；六、通过高温贮存下的结果，外推常温下光耦的贮存寿命。该发明将统一批次的光耦分级并分别进行寿命评价，提供了一种在加速寿命试验之前就可以对其寿命进行排序分类的思路，对目前在半导体电路贮存寿命评价方面的研究开辟了有效的途径，有效的将寿命相近的光耦分为一类，从而提高了光耦寿命评价的精度。

主权项

一种基于低频噪声分类的光耦贮存寿命评价方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤一：根据光耦的内部结构搭建低频噪声适配器：选用光耦HCPL‑2530结构，采用的噪声测试仪内置15.6V电源，四档电流表，四档电压表以及一个高精度的输入接口，通过低频噪声适配器将光耦的输出端连接到噪声测试仪的输入端，光耦的供电端接电压表，光耦的输入端接电流表；步骤二：测量光耦初始的低频噪声：在光耦正常工作的条件下，对其输出电流进行计算得到其噪声；查技术手册得知光耦的典型工作条件：输入偏置电流If以及输出端偏置电压VCC；将光耦固定在低频噪声适配器上以后，调节低频噪声适配器上的滑动变阻器，使得噪声测试仪上的电压表示数为VCC，电流表示数为If，调节完成后，通过pc端软件测量光耦通道的噪声；所述的测量光耦初始的低频噪声的测量方法如下：采用现有的噪声测试仪，该噪声测试仪有配套PC端软件；通过步骤一中的低频噪声适配器连接光耦与噪声测试仪，将所要测量的光耦放入低频噪声适配器的插座中，调节噪声测试仪电压表示数为5V，电流表示数为16mA，然后运行PC端的“频谱测量”与“时间序列测量”，噪声测试仪开始采集数据，并传到PC端，PC端能自动计算生成所需的低频噪声；步骤三：根据低频噪声对样本进行分类：分类方法如下：噪声电压功率谱波形出现脉冲波形及不规则噪声幅度变化为爆裂噪声；10Hz与1Hz处噪声Sv比值r表征g‑r噪声；爆裂噪声和g‑r噪声显著的样本分入III类；余下的样本根据其1/f噪声的分布情况，选定III类淘汰率，最终将样本分为I类、II类、III类；步骤四：确定加速寿命试验的温度并将样本分类进行加速寿命试验：加速寿命试验是指，将各类样本分别均分到125℃、150℃、175℃的恒温温箱中；所有的器件均贮存40周，每周一取出，测量其CTR与低频噪声，测量完成后，当天放回温箱中；步骤五：确定退化趋势的函数；确定函数的方法如下：利用数据分析软件Origin9.0对样本退化数据进行最小二乘法数据拟合，通过比较R‑Square决定采用指数函数来拟合退化轨迹；步骤六：通过高温贮存下的结果，外推常温下光耦的贮存寿命；参照参数退化模型与温度关系的推导方法，建立光耦正常应力下的退化模型，评价常温下光耦的贮存寿命。