[发明专利]一种氧化物薄膜、含有该薄膜的晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410031240.8 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103762227A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;贡献;喻韵璇;刘冬;刘晓彦;韩德栋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 含有 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜，其特征在于，为Ba‑Zn‑Sn‑O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。
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