[发明专利]碗状金属纳米结构的制备方法有效
申请号: | 201410031509.2 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104803342A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 朱振东;李群庆;白本锋;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;G02B5/18;B82Y40/00;B82Y20/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种碗状金属纳米结构阵列的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底的表面设置一金属层;在所述金属层远离基底的表面设置一图形化的掩模层,该图形化的掩模层包括多个间隔设置的凸块,相邻的凸块之间的金属层被暴露;对上述结构进行退火处理,使每个凸块的顶面形成多个裂纹;以及采用物理性刻蚀气体和反应性刻蚀气体同时刻蚀,对应在每个凸块的位置形成一碗状金属纳米结构。本发明还涉及一种利用上述制备方法所制备的碗状金属纳米结构阵列以及一种利用该碗状金属纳米结构阵列的检测系统。 | ||
搜索关键词: | 金属 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碗状金属纳米结构阵列的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底的表面设置一金属层;在所述金属层远离基底的表面设置一图形化的掩模层,该图形化的掩模层包括多个间隔设置的凸块,相邻的凸块之间的金属层被暴露;对上述结构进行退火处理,使每个凸块的顶面形成多个裂纹;以及采用物理性刻蚀气体和反应性刻蚀气体同时刻蚀,对应在每个凸块的位置形成一碗状金属纳米结构。
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