[发明专利]扇出式封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201410032176.5 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN104659019B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 王卜;施应庆;卢思维;林俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个实施例是一种结构,包括管芯以及至少横向地密封管芯的密封剂,在该管芯的表面上具有焊盘。穿过密封剂露出焊盘。该结构进一步包括位于密封剂和管芯上方的第一介电层、位于第一介电层上方的第一导电图案、以及位于第一导电图案和第一介电层上方的第二介电层。第一介电层和第二介电层对于管芯的焊盘有第一开口。该结构进一步包括位于第二介电层上方和第一开口内的第二导电图案。第二导电图案邻接第一开口内的第一介电层的侧壁和第一开口内的第二介电层的侧壁。本发明还包括扇出式封装结构及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 扇出式 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种封装结构,包括:管芯,具有位于表面上的焊盘;密封剂,至少横向地密封所述管芯,穿过所述密封剂露出所述焊盘;第一介电层,位于所述密封剂和所述管芯上方;第一导电图案,位于所述第一介电层上方;第二介电层,位于所述第一导电图案和所述第一介电层上方,所述第一介电层和所述第二介电层对于所述管芯的所述焊盘具有第一开口;以及第二导电图案,位于所述第二介电层上方和所述第一开口内,所述第二导电图案邻接所述第一开口内的所述第一介电层的侧壁和所述第一开口内的所述第二介电层的侧壁;其中,所述第一导电图案包括连接部,所述连接部具有第二开口,所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口的一部分,所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410032176.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。