[发明专利]一种新型霍尔测试方法无效
| 申请号： | 201410032498.X | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103794526A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 冯巍;杜全钢;郭永平;谢小刚;李维刚;姜炜;蒋建 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 215151 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体测试领域，涉及一种新型的半导体外延片霍尔效应测试方法；被测试样品结构包括金属点电极、表面帽层、沟道层、衬底，本发明用来测试HEMT器件的霍尔参数，无须单独制备无帽层结构的校准外延片，测量准确度高，可以真实反映实际外延片的霍尔特性，节省时间成本和生产成本，提高了企业的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 霍尔 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种新型霍尔效应测试方法，其特征在于：所述被测试样品结构包括金属点电极（1）、表面帽层（2）、沟道层（3）、衬底（4）；测试方法步骤如下，S1将外延片切片成霍尔测试样品，在正面制备金属点电极（1），将样品放进快速热退火炉中进行合金，使得金属电极（1）与沟道层（3）形成欧姆接触；S2利用湿法腐蚀去除霍尔样品的表面帽层（2），使器件内部的沟道层（3）中的载流子成为霍尔样品电导中的决定性因素；S3将样品接入四探针霍尔测试系统进行测试；衬底（4）是半绝缘的，对霍尔样品的电导没有贡献，它的存在不影响测量结果，衬底（4）仅对外延薄膜提供支撑作用；霍尔测试的外延片样品是由在线生产中抽查的外延片腐蚀加工获得，可采用湿法腐蚀去除表面帽层（2），然后合金制成霍尔测试样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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