[发明专利]电阻式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410032599.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810473B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李彦德;李书铭;陈宏生 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法，该存储器包括一基底；一堆叠，此堆叠包括下电极及电阻转态层；层间介电层，覆盖堆叠，其中层间介电层具有开口对准堆叠，此开口的侧壁与下电极及电阻转态层的侧壁对齐；上电极，设于电阻转态层上；以及接触插塞，设于开口中且电连接上电极。本发明亦提供此电阻式存储器的制造方法。本发明利用自对准方式定义接触开口，可避免以干蚀刻步骤形成接触开口时对元件造成的伤害，以提升工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器的制造方法，其特征在于，该方法包括：提供一基底；形成一堆叠于该基底上，该堆叠包括：一下电极，设于该基底上；一电阻转态层，设于该下电极上；一上电极，设于该电阻转态层上；及一牺牲层，设于该上电极上；形成一层间介电层覆盖该堆叠；移除位于该堆叠上方的该层间介电层，以暴露该牺牲层；移除该牺牲层，以形成一对准该堆叠的开口，且该开口的侧壁与该下电极、该电阻转态层及该上电极的侧壁对齐；以及形成一接触插塞填入该开口中且电连接该上电极。
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