[发明专利]具有抗裂膜结构的微机电系统器件及其制造方法有效
申请号: | 201410032683.9 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN103964373B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | C·S·道森;D·比利克;刘连军;A·C·麦克内尔 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了抗裂微机电系统(MEMS)器件及其制造方法。在一个实施例中,所述方法包括在衬底上形成牺牲体;在所述衬底上制造多层膜结构,以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。所述多层膜结构是通过在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层具有不平的上表面制造的。然后将预定厚度的基膜层去除以赋予所述基膜层平的上表面。在所述基膜层的所述平的上表面上形成的盖膜层包括具有基本平行的晶粒取向的多晶硅的材料。 | ||
搜索关键词: | 具有 膜结构 微机 系统 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造微机电系统(MEMS)器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成牺牲体;在所述衬底上制造多层膜结构,其中所述制造包括:在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层有不平的上表面和台阶式外边缘部分;从所述基膜层的顶部去除预定厚度的材料,其足以消除所述台阶式外边缘部分并赋予所述基膜层以平的上表面;以及在所述基膜层的所述平的上表面上形成盖膜层,所述盖膜层包括在所述盖膜层和所述基膜层之间的界面处的具有基本平行的晶粒取向的多晶硅;以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。
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