[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410032806.9 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810396B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括晶体管，其中所述晶体管的沟道区包括非掺杂沟道区、基础掺杂区以及阈值电压设置区，可以减小交叠电容，并改善耗尽型沟道的迁移率和阈值电压变化，最终提高整个半导体器件的性能。本实施例的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供自下而上包括承载衬底、缓冲层、半导体衬底层的第一半导体衬底，在所述半导体衬底层内形成与所述缓冲层相连的浅沟槽隔离，在所述半导体衬底层的第一表面之上形成栅极介电层以及位于其上的栅极，并通过离子注入在所述半导体衬底层内形成位于所述栅极两侧的源极和漏极；步骤S102：去除所述承载衬底和所述缓冲层；步骤S103：通过离子注入在所述半导体衬底层内形成延伸至所述源极和漏极的下方的阈值电压设置区以及位于所述阈值电压设置区上方的位于所述源极与所述漏极之间的非掺杂沟道区；并通过离子注入在所述半导体衬底层内形成位于所述阈值电压设置区下方的基础掺杂区；步骤S104：在所述半导体衬底层的与第一表面相对的第二表面上形成基底介电层。
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