[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

在半导体衬底的存储器单元区域中形成非易失性存储器的存储器单元的控制栅极电极和存储器栅极电极，并且在外围电路区域中形成需栅极电极。然后在存储器单元区域中形成用于存储器单元的源极或者漏极的n⁺型半导体区域，并且在外围电路区域中形成用于MISFET的源极或者漏极的n⁺型半导体区域。然后在n⁺型半导体区域之上形成金属硅化物层，但是未在控制栅极电极、存储器栅极电极和栅极电极之上形成金属硅化物层。随后去除栅极电极并且替换为用于MISFET的栅极电极。然后在去除栅极电极并且将它替换为用于MISFET的栅极电极之后，在存储器栅极电极和控制栅极电极之上形成金属硅化物层。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的第一区域中形成的非易失性存储器的存储器单元和在所述半导体衬底的第二区域中形成的MISFET，其中所述存储器单元具有在所述半导体衬底之上形成的相互相邻的第一栅极电极和第二栅极电极、在所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间形成的第一栅极绝缘膜、以及在所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间形成的并且在内部中具有电荷积累部分的第二栅极绝缘膜，并且所述MISFET具有在所述半导体衬底之上形成的第三栅极电极和在所述第三栅极电极与所述半导体衬底之间形成的第三栅极绝缘膜，所述方法包括：(a)提供所述半导体衬底；(b)在所述第一区域中在所述半导体衬底之上通过所述第一栅极绝缘膜形成第一层叠图案，所述第一层叠图案具有所述第一栅极电极和在所述第一栅极电极之上的第一帽绝缘膜，通过所述第二栅极绝缘膜形成所述第二栅极电极，并且形成第二层叠图案，所述第二层叠图案具有虚设栅极电极和在所述虚设栅极电极之上的第二帽绝缘膜，所述虚设栅极电极用于通过第一绝缘膜形成所述第三栅极绝缘膜；(c)在所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述虚设栅极电极的侧壁上形成第一侧壁绝缘膜；(d)在所述步骤(c)之后，通过离子注入方法向所述半导体衬底，在所述第一区域处在所述半导体衬底中形成用于所述存储器单元的源极或者漏极的第一半导体区域并且在所述第二区域中形成用于所述MISFET的源极或者漏极的第二半导体区域；(e)在所述步骤(d)之后，在用于所述存储器单元的所述源极或者所述漏极的所述第一半导体区域之上和在用于所述MISFET的所述源极或者所述漏极的所述第二半导体区域之上形成第一金属硅化物层；(f)在所述步骤(e)之后，在所述半导体衬底之上形成第二绝缘膜以便覆盖所述第一层叠图案、所述第二栅极电极、所述第二层叠图案和所述第一侧壁绝缘膜；(g)在所述步骤(f)之后，抛光所述第二绝缘膜的上表面以暴露所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述虚设栅极电极；(h)在所述步骤(g)之后，去除所述虚设栅极电极；(i)通过在第一沟槽中填充第一传导膜来形成所述第三栅极电极，所述第一沟槽是已经在步骤(h)中从其去除了所述虚设栅极电极的区域；并且(j)在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之上形成第二金属硅化物层，其中在所述步骤(c)也在所述第二栅极电极之上形成所述第一侧壁绝缘膜，并且其中在所述步骤(e)在所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述虚设栅极电极之上未形成所述第一金属硅化物层。