[发明专利]一种OPC中双掩膜版的检测方法

摘要

本发明涉及一种OPC中双掩膜版的检测方法，包括：步骤（a）提供第一掩膜版和第二掩膜版，并确定所述第一掩膜版中需要清除的图案以及需要最终保持的图案；步骤（b）执行常规检查步骤，以确保所述第二掩膜版包围所述需要清除的图案，同时不会和所述需要最终保持的图案形成接触；步骤（c）执行工艺变量检查步骤，以保证所述第二掩膜版的对准误差以及蚀刻误差在可接受范围之内。本发明的优点在于：能够最大程度的保证所述目标图案中所述双掩膜版的逼真；考虑了工艺过程中各种变量的影响，例如所述光刻对准位移（litho Overlay shift）、蚀刻偏差的变化（Etch bias variation）等。对于OPC过程以及OPC光刻掩膜版输出的运行时间影响非常小。

主权项

1.一种OPC中双掩膜版的检测方法，包括：步骤a提供第一掩膜版和第二掩膜版，并确定所述第一掩膜版中需要清除的图案以及需要最终保持的图案，所述需要最终保持的图案包括目标图案，所述需要清除的图案包括目标图案线端连接图案；步骤b执行常规检查步骤，以确保所述第二掩膜版包围所述需要清除的图案，同时不会和所述需要最终保持的图案形成接触；步骤c执行工艺变量检查步骤，以保证所述第二掩膜版的对准误差以及蚀刻误差在可接受范围之内；所述步骤c包括以下子步骤：步骤c‑1执行蚀刻偏差的检查，以保证所述蚀刻偏差在可接受的蚀刻误差范围之内；步骤c‑2执行光刻对准误差的检查，以保证所述对准误差在可接受的对准误差范围之内；所述步骤c‑2进一步包括：步骤c‑2‑1确定所述第二掩膜版的切割端和非切割端，所述第二掩膜版的切割端为所述目标图案线端连接图案和所述目标图案相连接的两端，所述非切隔端为所述目标图案线端连接图案和所述目标图案没有接触的两端；步骤c‑2‑2将所述第二掩膜版的非切割端两端的边界分别往里收缩距离A和往外扩张距离A，然后检查所述第二掩膜版是否能完全包围所述需要清除的图案，同时不会和所述需要最终保持的图案相接触，其中，所述A为光刻工艺对准误差。