[发明专利]一种基于槽栅高压器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410033269.X | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103794643A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;杜锴;马晓华;郑雪峰;代波;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的部分区域上方外延有线性AlGaN层，线性AlGaN层的部分区域上方外延有p-GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 高压 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于槽栅高压器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的部分区域上方外延有线性AlGaN层，线性AlGaN层的部分区域上方外延有p‑GaN层，p‑GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。
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