[发明专利]硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。

主权项

一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器，其特征在于，包括p型掺杂硅单晶衬底、金字塔减反射结构、硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜、硅氧化物介质钝化层、正面接触栅电极和背面接触电极，其中，所述金字塔减反射结构分别形成于所述p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，金字塔减反射结构是指硅(100)取向单晶衬底在刻蚀液中，由于对硅各晶向的刻蚀速率不同而在衬底表面形成的金字塔形的结构；所述硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于所述p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；所述硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；所述正面接触栅电极形成在所述硅氧化物介质钝化层的表面；所述背面接触电极形成在所述p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。