[发明专利]一种晶圆临时键合方法有效
申请号: | 201410035388.9 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN103794523B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 蔡坚;魏体伟;王谦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 陈潇潇,肖冰滨 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆临时键合方法,该方法包括完成晶圆的硅通孔和正面制备工艺;在所述晶圆的正面上涂覆临时键合胶;将支撑片的表面进行粗糙化处理;将所述支撑片的粗糙后表面与涂覆临时键合胶后的所述晶圆的正面进行键合;对与所述支撑片进行键合后的所述晶圆的背面进行减薄,直至得到所需的晶圆厚度为止;完成背面减薄后的所述晶圆的背面制备工艺;以及去除完成所述背面制备工艺后的所述晶圆上的所述临时键合胶。本发明的方法由于对支撑片的表面进行了粗糙化处理,所以增大了临时键合胶与支撑片的接触面积,实现了对临时键合胶的嵌套和固定,防止了临时键合胶在高温下出现滑动和偏移的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 临时 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆临时键合方法,该方法包括:将支撑片的表面进行粗糙化处理;将所述支撑片的粗糙后的表面与所述晶圆的正面进行键合;其中,使用临时键合胶将所述支撑片的粗糙后表面与所述晶圆的正面进行键合;以及所述临时键合胶涂覆在所述晶圆的正面上或者所述支撑片的粗糙后的表面上;其中,所述临时键合胶的厚度大于所述晶圆的正面制备工艺的最高处高度与所述支撑片的表面粗糙程度之和。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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