[发明专利]介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法

摘要

介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器及其制作方法属于半导体激光器领域，解决现有技术存在的工艺精度低、可靠性差以及性能一致性差的问题。本发明的结构包括从下至上排列的N面电极、衬底层、N型DBR层、有源层、介质薄膜电流限制层、P型DBR层和P面电极；本发明的方法为在衬底层上依次生长N型DBR层和有源层，将N型DBR层和有源层刻蚀成圆柱形台面，并暴露出衬底层，在圆柱形台面的表面以及衬底层的表面生长介质薄膜电流限制层，在质薄膜电流限制层刻蚀出电流限制窗口并暴露出有源层；在介质薄膜电流限制层的上表面及有源层的上表面外延生长P型DBR层；分别在P型DBR层的上表面和衬底层的下表面制作P面电极和N面电极。

主权项

介质薄膜电流限制型垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：衬底层（6），所述衬底层（6）为GaAs结构；依次生长在所述衬底层（6）上端的N型DBR层（5）和有源层（4），所述有源层（4）和N型DBR层（5）构成圆柱形台面；制作在所述由有源层（4）和N型DBR层（5）构成的圆柱形台面上端和衬底层（6）上端的介质薄膜电流限制层（3），所述有源层（4）上端的介质薄膜电流限制层（3）开有电流限制窗口，通过所述电流限制窗口暴露出所述有源层（4），所述介质薄膜电流限制层（3）由折射率低于2.0、热导率高于50Wm^‑1K^‑1的低折射率、高热导率材质材料构成；生长在有源层（4）和介质薄膜电流限制层（3）的上端的P型DBR层（2）；生长在P型DBR层（2）上端的P面电极（1）和制作在衬底层（6）下表面的N面电极（7），所述N面电极（7）设置有出光窗口，所述出光窗口和电流限制窗口相同，并精确对准。