[发明专利]化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 201410035833.1 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104802068B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王贤超;奚民伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 董文倩,吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种化学机械抛光方法。该方法包括以下步骤步骤S1，利用第一抛光液对待抛光晶圆的表面进行抛光；步骤S2，利用第二抛光液对抛光后的晶圆进行抛光减薄；步骤S3，利用第三抛光液对抛光减薄的晶圆进行抛光清洗；其中，第一抛光液和第三抛光液中SiO2颗粒的平均粒径大于第二抛光液中SiO2颗粒的平均粒径，第一抛光液中SiO2颗粒的颗粒浓度大于第二抛光液和第三抛光液中SiO2颗粒的颗粒浓度。本申请提供的化学机械抛光方法解决了晶圆在平坦化过程中存在的抛光速率不稳定、晶圆厚度不均匀以及抛光液残留的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，利用第一抛光液对待抛光晶圆进行抛光处理；步骤S2，利用第二抛光液将抛光后的所述晶圆进行减薄；步骤S3，利用第三抛光液将减薄后的所述晶圆进行清洗；其中，所述第一抛光液和所述第三抛光液中SiO2颗粒的平均粒径大于第二抛光液中SiO2颗粒的平均粒径，所述第一抛光液中SiO2颗粒的颗粒浓度大于第二抛光液和第三抛光液中SiO2颗粒的颗粒浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410035833.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：研磨方法及研磨装置
- 下一篇：微细血管连接器内孔面抛光装置
