[发明专利]栅氧化层的制造方法有效
| 申请号： | 201410035958.4 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104810263B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅氧化层的制造方法，包括：在第一温度和氧气的存在下，在衬底表面形成初始氧化层；在第二温度下，氮气或惰性气体的存在下，将表面形成初始氧化层的衬底进行第一退火处理，所述第二温度高于所述第一温度；在第一温度以及氧气和氯化氢的存在下，在所述初始氧化层表面形成主体氧化层，所述主体氧化层的厚度大于所述初始氧化层。本发明提供的栅氧化层的制造方法能够有效去除在形成氧化层过程中产生的界面态电荷陷阱电荷和固定氧化层电荷，提高栅氧化层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：在第一温度和氧气的存在下，在衬底表面形成初始氧化层；在第二温度下，氮气或惰性气体的存在下，将表面形成初始氧化层的衬底进行第一退火处理，所述第二温度高于所述第一温度；在第一温度以及氧气和氯化氢的存在下，在所述初始氧化层表面形成主体氧化层；在所述初始氧化层表面形成主体氧化层之后还包括：在第二温度和氯化氢的存在下，氮气或惰性气体的气氛中，将经上述处理的衬底进行第二退火处理；在衬底表面形成初始氧化层之前还包括：将所述衬底预热至第三温度并保温，再升温至所述第一温度；所述第一温度为800‑900℃；所述第二温度为1000‑1200℃；进行所述第一退火处理的时长为10‑30min，进行第二退火处理的时长为10‑30min；所述初始氧化层的厚度为![]()
所述栅氧化层的厚度为![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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