[发明专利]一种监测晶片生长薄膜特性的装置及其用途

摘要

本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置及其用途，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括第一激光光源、第二激光光源、第一二相色镜、分束镜、第二二相色镜、第一探测器、第二探测器、位置探测器、腔室、狭缝窗口、样品托盘和转轴。该装置及其用途能够集成实现待测晶片反射率、温度和应力三个特性参数集成监测。

主权项

一种监测晶片生长薄膜特性的装置，其特征在于，包括第一激光光源、第二激光光源、第一二相色镜、分束镜、第二二相色镜、第一探测器、第二探测器、位置探测器、腔室和样品托盘；所述样品托盘容置于所述腔室中，所述腔室上方设有狭缝窗口，所述狭缝窗口用于使光通过，所述样品托盘用于承载待测晶片；所述第一二相色镜用于使所述第一激光光源或者第二激光光源发出的光通过，经过所述分束镜后，所述第一激光光源或者第二激光光源发出的光被分为参考光束和入射光束，所述参考光束被所述第一探测器接收，所述入射光束经过所述狭缝窗口入射至待测晶片，经过所述待测晶片反射后成为反射光束，所述反射光束经过所述第二二相色镜后分别被所述第二探测器和所述位置探测器接收；当所述第一激光光源开启而所述第二激光光源关闭时，所述第一探测器用于探测所述参考光束光强Ir，所述第二探测器用于探测所述反射光束光强Ii；所述位置探测器用于探测沿待测晶片运动方向的各入射点的光斑偏移量；当所述第一激光光源关闭而所述第二激光光源开启时，所述第二探测器用于探测待测晶片热辐射强度L(λ，T)；所述样品托盘设置有转轴，可以在所述腔室内自由旋转。