[发明专利]基于声表面波增强的紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于声表面波增强的紫外探测器及其制备方法，所述基于声表面波增强的紫外探测器包括半导体衬底及设置于半导体衬底表面的两个背对背的肖特基电极，所述两个背对背的肖特基电极用于收集光生载流子并形成电信号输出，还包括设置于半导体衬底表面的叉指换能器，所述叉指换能器用于激励声表面波，以实现声表面波对光生载流子的输运。本发明的优点在于，采用声表面波实现俘获和定向输运光生载流子，可将远处的光生载流子传送至肖特基电极结构内建电场区域，可减小光生载流子的复合，提高光电转换效率，实现高灵敏度的紫外探测功能。

主权项

一种基于声表面波增强的紫外探测器，包括半导体衬底及设置于半导体衬底表面的两个背对背的肖特基电极，所述两个背对背的肖特基电极用于收集光生载流子并形成电信号输出，其特征在于，还包括设置于半导体衬底表面的叉指换能器，所述叉指换能器用于激励声表面波，以实现声表面波对光生载流子的输运，声表面波在半导体衬底中传播时，声表面波伴随的电场对半导体衬底表面能带造成周期性调制，形成周期性势阱/势垒，在势垒处可以俘获空穴，在势阱处俘获电子，将电子‑空穴分别俘获在声表面波的不同位置，减小电子‑空穴的复合，将远处的光生载流子传送至两个背对背的肖特基电极内建电场区域，提高光电转换效率，所述两个背对背的肖特基电极采用石墨烯制作，所述两个背对背的肖特基电极与所述半导体衬底形成石墨烯‑半导体‑石墨烯结构，所述半导体衬底为宽禁带极性半导体衬底。