[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410037545.X | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972274A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 小山威;理崎智光 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体装置。该半导体装置将梳形的N型MOS晶体管用作ESD保护元件，能够使上述梳型的N型MOS晶体管整体均匀地进行动作。根据与配置在外周保护环上的基板电位固定用接触孔的距离调整用作ESD保护元件的N型MOS晶体管的栅电极的L长，由此，构成栅电极的各个梳齿统一地进入骤回动作，能够避免局部的电流集中，获得期望的ESD耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其将具有多个晶体管成为一体的构造的N型MOS晶体管用作ESD保护元件，该多个晶体管具备：交替配置的多个漏极区域和多个源极区域；栅电极，其配置在所述多个漏极区域和多个源极区域之间；以及基板接触孔，其配置在所述多个漏极区域和多个源极区域以及所述栅电极的周围，与固定为地电位的金属布线连接，所述半导体装置的特征在于，相比于配置在远离所述基板接触孔的位置的栅电极的L长，配置于所述基板接触孔附近的栅电极的L长更短，所述L长是所述栅电极的沟道方向的长度。
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