[发明专利]BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法

摘要

本发明公开了一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷及制备方法。其组成为（1-x）BaTiO₃/xNi_0.5Zn_0.5Fe₂O₄，0.9≤x≤0.95，以NZFO晶相为主相，BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围，形成铁电/铁磁两相复合陶瓷。制备方法为：首先，制得BTO/NZFO复合粉体；其次经加压成型，并在低于最高致密化烧结温度下进行烧结，得到BTO/NZFO复合陶瓷；然后，再将烧结温度升高，使含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来，接着，再将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态；最后，将复相陶瓷进行二次退火处理，使玻璃态BTO再结晶。本发明的复相陶瓷，其渗流阈值可达90%以上，同时具有高介电常数、高磁导率和较低的介电损耗、磁损耗。

主权项

一种BTO晶相原位隔离NZFO晶粒的高渗流阈值复相陶瓷，其特征在于，该复合陶瓷的组成为（1‑x）BaTiO₃/xNi_0.5Zn_0.5Fe₂O₄，0.9≤x≤0.95，以NZFO晶相为主相，BTO晶相以晶体的形态完全均匀地包裹在NZFO晶粒周围，并将NZFO晶粒完全隔离开来，形成一个由BTO晶相和NZFO晶相组成的复相陶瓷，这是一种具有高渗流阈值铁电/铁磁两相复合陶瓷。