[发明专利]一种功率集成器件在审
申请号: | 201410037695.0 | 申请日: | 2014-01-26 |
公开(公告)号: | CN104810350A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 郑玉宁;陈建国;张枫 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100871 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种功率集成器件。该功率集成器件包括半导体层图案和金属层图案,以及位于半导体层图案和金属层图案之间的介质层。通过设置半导体层图案和金属层图案之间的介质层包括抗可动离子绝缘层,使得可动电荷与离子不容易穿透介质层,影响半导体的特性,提高了功率集成器件对于可动电荷与离子的抵抗能力,从而改善了功率集成器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 集成 器件 | ||
【主权项】:
一种功率集成器件,包括衬底,以及形成在所述衬底上的半导体层图案和金属层图案,在所述半导体层图案和金属层图案之间形成有介质层,其特征在于,所述介质层包括抗可动离子绝缘层。
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