[发明专利]一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过增加去除虚拟连接件以及在虚拟连接件原来的位置形成介电填充的步骤，可以提高形成的电感的品质因数，进而可以提高整个半导体器件的性能。本发明的半导体器件，由于在电感的下方的不存在位于金属间介电层内的虚拟互连件，因此可以提高电感的品质因数，进而可以提高整个半导体器件的性能。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底、位于所述半导体衬底的内部和表面的晶体管、位于所述半导体衬底之上的第一层间介电层以及位于所述第一层间介电层内的金属插塞的前端器件；步骤S102：在所述前端器件的上方形成第二层间介电层，并利用金属层在所述第二层间介电层内形成与所述金属插塞相连接的互连件以及位于拟形成的电感的下方的虚拟互连件；步骤S103：去除所述虚拟互连件，并在所述虚拟互连件原来的位置形成介电填充层；步骤S104：形成位于所述第二层间介电层之上的金属间介电层以及位于所述金属间介电层之上的电感，所述电感在金属间介电层上的垂直投影覆盖所述介电填充层；其中，所述步骤S103包括：步骤S1031：形成覆盖所述第二层间介电层、所述互连件以及所述虚拟互连件的阻挡层，并在所述阻挡层之上形成在所述虚拟互连件所在的区域的上方具有开口的掩膜层；步骤S1032：通过第一次刻蚀去除所述阻挡层对应所述开口所在区域的部分，并通过第二次刻蚀去除所述虚拟互连件；步骤S1033：去除所述掩膜层，在所述虚拟互连件原来的位置填充介电材料；步骤S1034：通过化学机械抛光工艺去除过量的所述介电材料，以在所述虚拟互连件原来的位置形成介电填充层。