[发明专利]一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201410038117.9 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779456A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周明;申云;穆连和;顾理建 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 226634 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaAs衬底，以及在GaAs衬底上沉积n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其中形成GaAs衬底的方法包括在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；对GaAs晶片加热的同时加压；停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 半导体 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种N型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaAs衬底，以及在GaAs衬底上沉积n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层；其特征在于，形成GaAs衬底的方法包括如下步骤：(1)在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；(2)对GaAs晶片加热的同时加压，加热至温度为860～890℃，加压至压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；(3)停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压；卸压速度为0.3～0.5GPa／分钟；(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。
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