[发明专利]一种采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法无效
申请号: | 201410038158.8 | 申请日: | 2014-01-27 |
公开(公告)号: | CN103787270A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 成蒙;张广宇;时东霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 王艺 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及纳米加工技术领域,尤其涉及一种采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法。采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法,其通过原子力显微镜的针尖加脉冲电压的方式在石墨烯上形成人工空位缺陷,然后用含氢等离子体对该石墨烯进行各向异性刻蚀。此方法能够在石墨烯上实现小于200nm周期的纳米孔洞阵列图案。且超晶格石墨烯纳米结构的周期和纳米带宽度是可控的。原子力显微镜针尖的加工方法简单并且没有引入额外污染的手段,所得的器件十分干净。此外,辅助针尖阵列加工工艺,本方法可用于器件集成,批量生产石墨烯纳米结构器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 原子 显微镜 加工 石墨 晶格 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法,其特征在于,包括:步骤A:采用原子力显微镜的针尖加脉冲电压的方式在石墨烯上形成人工空位缺陷;步骤B:用含氢等离子体对该石墨烯进行各向异性刻蚀。
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