[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种背接触太阳能电池，包括硅基体，设于硅基体背面相互交替排列的p+掺杂区域和n+掺杂区域，p+掺杂区域上设有正电极接触细栅，n+掺杂区域上设有负电极接触细栅，硅基体的背面上还设有正电极主栅和负电极主栅，正电极主栅与负电极接触细栅相接触位置处设有绝缘阻挡层，正电极主栅位于绝缘阻挡层上且与正电极接触细栅相连接，负电极主栅与正电极接触细栅相接触的位置处设有绝缘阻挡层，负电极主栅位于绝缘阻挡层上且与负电极接触细栅相连接。还公开了上述背接触太阳能电池的制备方法，该背接触太阳能电池能消除以往背接触太阳能电池中常规主栅所带来的载流子横向传输损耗和主栅的电极遮蔽效应，提高背接触太阳能电池的填充因子和短路电流。

主权项

一种背接触太阳能电池，包括硅基体（20），设于硅基体背面的p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32），其特征是：所述p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32）相互交替排列在所述硅基体（20）的背面，所述p+掺杂区域（30）上设有正电极接触细栅（40），所述n+掺杂区域（32）上设有负电极接触细栅（42），所述硅基体（20）的背面上还设有正电极主栅（60）和负电极主栅（62），所述正电极主栅（60）与所述负电极接触细栅（42）及其所在的n+掺杂区域（32）相接触位置处设有绝缘阻挡层（50），所述正电极主栅（60）位于所述绝缘阻挡层（50）上且与所述正电极接触细栅（40）相连接但不与所述负电极接触细栅（42）和所述n+掺杂区域（32）相接触，所述负电极主栅（62）与所述正电极接触细栅（40）及其所在的p+掺杂区域（30）相接触的位置处设有绝缘阻挡层（52），所述负电极主栅（62）位于所述绝缘阻挡层（52）上且与所述负电极接触细栅（42）相连接但不与所述正电极接触细栅（40）和所述p+掺杂区域（30）相接触。