[发明专利]一种铁电存储器有效
| 申请号： | 201410038319.3 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103746076A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 常琦 | 申请（专利权）人： | 江苏巨邦环境工程集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容，硅基底层1，它还包括上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中铁电薄膜层4的材料为掺杂了噻吩或噻吩衍生物的聚合物的铅锆钛薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器的铁电薄膜电容，硅基底层1，它还包括上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中铁电薄膜层4的材料为掺杂了噻吩或噻吩衍生物的聚合物的铅锆钛薄膜，作为噻吩或噻吩衍生物的聚合物，可列举具有可用下述式(1)表示的重复单元的聚合物。![]()
式(1)中，R1和R2分别独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的卤代烷基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数6～40的芳基氨基、取代或未取代的核碳原子数6～40的芳基、或取代或未取代的核碳原子数2～40的杂环基，相邻的取代基也可以彼此互相结合而形成环。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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