[发明专利]一种背接触太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法，该方法利用扩散、图案化的介质掩膜、刻蚀和激光绝缘等技术组合实现了在硅基体背表面制作相互交替排列的p+掺杂区域和n+掺杂区域，在p+掺杂区域和n+掺杂区域的交界处制作用于p+/n+区域电绝缘的带隙，在硅基体前表面制作低表面掺杂浓度的n+前表面场FSF，然后利用SiOx，SiNx和AlOx等介质膜实现硅基体前后表面的钝化和前表面的减反，最后通过丝网印刷和共烧结的工艺实现硅基体背表面p+掺杂区域和n+掺杂区域的金属化接触，完成背接触太阳能电池的制作。本发明公开的制备方法与目前晶硅太阳能电池生产工艺有诸多共通之处，不需引入新的制造设备，所有制程都可以在当前工业化产线上完成，成本低、工艺简单合理且安全可靠。

主权项

一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征是含以下步骤：（1）使用N型晶体硅基体，在硅基体前表面制备一层薄介质膜，以形成扩散缓冲层；（2）进行硅基体前后表面双面磷扩散或硅基体背表面单面硼扩散；（3）在硅基体背表面制作图案化介质掩膜用作扩散阻挡层，该介质掩膜图案化覆盖在硅基体背表面；（4）用化学溶液刻蚀硅基体背表面以去除图案化介质掩膜所镂空的磷扩散区域或硼扩散区域；（5）对于步骤（2）中采用双面磷扩散的硅基体，在硅基体背面进行单面硼扩散，对于步骤（2）中采用背面单面硼扩散的硅基体，在硅基体前后表面进行双面磷扩散；扩散结束后，将会在硅基体背表面形成图案化的相互补的p+掺杂区域和n+掺杂区域，在硅基体前表面形成低表面浓度的n+掺杂区域；（6）在硅基体背表面p+区域和n+区域交界处进行电绝缘；（7）用化学溶液去除硅基体前表面的薄介质膜和硅基体背表面的图案化介质掩膜；（8）在硅基体前表面制备钝化减反膜，在硅基体背表面制备钝化膜；（9）通过丝网印刷和共烧结的工艺实现基体背表面p+区域和n+区域的金属接触，完成背接触电池的制作。