[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201410039093.9 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104376871B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 前岛洋 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够进行正常工作的半导体存储装置。半导体存储装置具备：与存储器单元连接的位线；具有与位线上的电位的读出结果相应的电位的第1节点（SEN）；和传送第1节点上的电位且与锁存电路连接的第2节点（LBUS）。在第1节点上的电位开始向第2节点传送的时刻，第1节点的电位比读出的结束时刻升高了。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：位线，其与存储器单元连接；第1节点，其能够保持与所述位线上的电位的读出结果相应的电位，并且接受从驱动器供给的信号；第2节点，其被传送所述第1节点上的电位且与锁存电路相连接；和晶体管，其能够向所述第1节点传送用于对所述位线进行预充电的预充电电压，来自所述驱动器的信号的电位，比所述晶体管截止、向所述位线的预充电结束的时刻的信号的电位升高ΔV1，并且，所述第1节点的电位在所述第1节点上的电位向所述第2节点传送时，比所述读出的结束时刻的所述第1节点的电位升高了ΔSACLK，所述ΔV1与ΔSACLK的电位关系为：ΔV1＞ΔSACLK。
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