[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201410039519.0 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104810050B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 村上洋树;荒川贤一 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置。半导体存储装置包括生成正确的钳位电压的钳位电压生成电路（200）。钳位电压生成电路包括：仿真用晶体管（220），漏极耦合于VDD电源，源极耦合于节点（N5），钳位电压耦合于栅极；电流设定电路（230），连接于节点（N5）与接地电位之间，对从节点（N5）流至接地电位的电流进行设定；以及调节器（210），输入从节点（N5）反馈的电压与基准电压（VREF），并输出VCLMP电压。电流设定电路（230）可复制位线（BL）的电流，可使仿真用晶体管（220）近似于电荷转移晶体管（TG）。 | ||
| 搜索关键词： | 钳位电压 半导体存储装置 电流设定电路 接地电位 生成电路 晶体管 电荷转移晶体管 调节器 复制位线 基准电压 漏极耦合 源极耦合 耦合 近似 反馈 输出 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括钳位电压生成电路，所述钳位电压生成电路向耦合于位线的读出节点的电荷转移晶体管提供钳位电压，所述半导体存储装置的特征在于，所述钳位电压生成电路包括：仿真用晶体管，漏极耦合于第1电位，源极耦合于节点，钳位电压耦合于栅极；电流设定构件，连接于所述节点与第2电位之间，对从所述节点流至所述第2电位的电流进行设定；以及恒电压输出构件，输入从所述节点反馈的电压与基准电压，以所述反馈的电压一致于所述基准电压的方式来控制所述钳位电压的输出。
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