[发明专利]一种InAsxP1-x合金纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201410039958.1 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103737010A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 潘安练;任品云;朱小莉 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | B22F9/16 | 分类号： | B22F9/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAsxP1-x合金纳米线。其化学式为InAsxP1-x，其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAsxP1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAsxP1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inas sub 合金 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InAsxP1‑x纳米线，其特征在于：所述InAsxP1‑x纳米线中x取值为0‑1，不包含1。
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