[发明专利]MOS器件的STI应力效应建模方法及装置有效
| 申请号： | 201410040388.8 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103778297B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李书振;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件的STI应力效应建模方法及装置，属于器件提参建模技术领域。所述方法包括引入温度参数对MOS器件的STI应力效应的影响，形成MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数；提取常温下的MOS器件的模型参数Model1；以Model1为基础，提取常温下STI应力对MOS器件性能影响的参数Model2；以Model2为基础，提取函数中MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数。所述装置包括第一模块、第二模块、第三模块及第四模块。本发明通过建立MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数，能够准确地描述出温度对MOS器件STI应力效应的影响，使得提取的模型参数更加准确可靠。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 sti 应力 效应 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种MOS器件的STI应力效应建模方法，其特征在于，包括：在BSIM4的模型参数中引入影响MOS器件的STI应力效应的温度参数，建立所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数；根据无STI应力时的MOS器件的输出特性以及转移特性，提取常温状态下MOS器件的模型参数Model1；以模型参数Model1为基础，提取常温状态下STI应力对MOS器件性能影响的参数，提取后的模型参数标记为Model2；以模型参数Model2为基础，提取非常温状态下所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数；其中，以模型参数Model2为基础，提取非常温状态下所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数包括：获取非常温状态下不同的源端有源区宽度及漏端有源区宽度的MOS器件的输出特性以及转移特性；根据获取的所述MOS器件的输出特性、转移特性及模型参数Model2，提取所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数kua1和kub1，获得最终模型参数。
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